Hoe beïnvloedt temperatuur de band gap? Naarmate de temperatuur stijgt, neemt de bandafstand energie af omdat het kristalrooster uitzet en de interatomaire bindingen worden verzwakt. Zwakkere bindingen betekent dat er minder energie nodig is om een binding te verbreken en een elektron in de geleidingsband te krijgen.
Is bandgap temperatuur afhankelijk?
De temperatuurafhankelijkheid van de bandgap van InN is zwakker dan voor de meeste halfgeleiders. Voor een monster met een lage vrije elektronenconcentratie (n=3,5 × 1017 cm-3), is de bandgap-variatie tussen kamertemperatuur en lage temperatuur slechts 47 meV. De implicaties van deze kleine temperatuurcoëfficiënt zullen worden besproken.
Hoe de bandgap de intrinsieke dragerconcentratie beïnvloedt met betrekking tot de temperatuur?
Dit aantal dragers hangt af van de band gap van het materiaal en van de temperatuur van het materiaal. Een grote bandafstand maakt het moeilijker voor een drager om thermisch te worden geëxciteerd over de bandafstand, en daarom is de intrinsieke dragerconcentratie lager in materialen met een hogere bandafstand.
Hoe beïnvloedt temperatuur de Fermi-verdeling?
Effect van temperatuur op de Fermi-Dirac-verdelingsfunctie
Bij T=0 K, zullen de elektronen een lage energie hebben en dus lagere energietoestanden innemen. … Maar naarmate de temperatuur stijgt, krijgen de elektronen steeds meer energie waardoor ze zelfs naar de geleidingsband kunnen stijgen.
Wanneer de temperatuur van de halfgeleider wordt verhoogd zijn energieband gap?
De energiekloof tussen de volant en de geleidingsband is erg klein, dus door de temperatuur te verhogen kunnen we meer elektronen van de volant naar de geleidingsband laten springen waardoor de dragers van elektriciteit in de halfgeleiders.
